以下是处理器Qualcomm Snapdragon 855 Plus的主要规格，该处理器采用Kryo 485架构设计。系列生产于(无数据)开始，采用7 nm工艺技术，基础频率为2.96 GHz。该CPU拥有8 / 8个核心，超频模式下的频率为(no data)。在选择处理器Qualcomm Snapdragon 855 Plus之前，请检查主板的插槽类型、内存模块的形式因素和电源的功率。
Qualcomm Snapdragon 855 Plus 评测 - 规格和基准测试
与其他模型 关键数据
处理器Qualcomm Snapdragon 855 Plus的概述，包括其主要特点以及在被称为基准测试的综合测试中的性能。您可以将Qualcomm Snapdragon 855 Plus与其他处理器进行比较，并通过评估每个处理器的优缺点来选择最佳选项。
处理器家族和世代
处理器 的系列和代数在其特性和能力中起着关键作用。值得注意的是，每一代新处理器通常都会带来性能和能效的提升。在升级计算机系统时，您需要注意主板插槽的兼容性，因为新系列可能需要不同的连接器，这可能会导致额外的升级成本。然而，每一代处理器通常都会提供新技术和优化，使其对寻求高性能和可靠性的用户更加具有吸引力。
| Name: | Qualcomm Snapdragon 855 Plus | Segment: | Mobile | |
| CPU group: | Qualcomm Snapdragon 855/860 | |||
| Family: | Qualcomm Snapdragon | 一代人: | 6 | |
| Predecessor: | -- | Successor: | Qualcomm Snapdragon 860 | |
处理器内核、基本频率和涡轮增压频率
直接影响处理器性能的特征。工作和涡轮增压速度，超频，超交易的核心和线程数量。越多越好。
| 加速: | No | 建筑学: | hybrid (Prime / big.LITTLE) | |
| CPU Cores / Threads: | 8 / 8 | |||
| A-Core: | 1x Kryo 485 Prime | |||
| B-Core: | 3x Kryo 485 Gold | |||
| Hyperthreading / SMT: | No | |||
| A-Core Frequency: | 2.96 GHz | |||
| B-Core Frequency: | 2.42 GHz | |||
| C-Core: | 4x Kryo 485 Silver | |||
| C-Core Frequency: | 1.80 GHz | |||
内部图形
图形芯片使处理器能够执行复杂的计算和显示任务。内存越多，时钟频率越高，就越好。
| 图形处理器的名称: | Qualcomm Adreno 640 | |||
| 图形处理器频率: | 0.25 GHz | GPU (Turbo): | 0.68 GHz | |
| 一代人: | 5 | 行政单位: | 4 | |
| 着色器的数量: | 384 | 监视器的数量: | 1 | |
| 技术: | 7 nm | 发布日期: | Q1/2019 | |
| Max. GPU Memory: | 4 GB | |||
| Direct X: | 12.0 | |||
硬件编解码器支持
専門家が関心を持ち、プロセッサーの性能に影響を与えない技術的な情報です。
| h264: | Decode / Encode | |||
| JPEG: | No | |||
| VP8: | Decode / Encode | |||
| VP9: | Decode / Encode | |||
| VC-1: | No | |||
| AVC: | No | |||
| h265 / HEVC (8 bit): | Decode / Encode | |||
| h265 / HEVC (10 bit): | Decode / Encode | |||
| AV1: | No | |||
RAM和PCIe
Qualcomm Snapdragon 855 Plus处理器支持的RAM的接口和标准。标准越现代，内存容量越大，就越好。
| 存储器类型: | LPDDR4X-4266 | 最大内存容量: | 16 GB | |
| 记忆通道: | 4 (Quad Channel) | ECC: | No | |
| Bandwidth: | -- | |||
| AES-NI: | No | |||
热管理
TDP是处理器产生的最大热量。它在选择冷却系统时使用。TDP越高，冷却系统必须耗散的热量就越多。
| 最高温度: | -- | 最大TDP: | -- | |
| TDP down: | -- | TDP (PL2): | -- |
技术细节
关键的处理器参数。注意制造工艺技术（以纳米为单位），第二和第三级缓存（L2，L3），插座。
| L3-Cache: | 3.00 MB | 技术: | 7 nm | |
| 建筑学: | Kryo 485 | 虚拟化: | None | |
| 插座（连接器）: | -- | 发布日期: | Q4/2018 | |
| 指令集（ISA）: | ARMv8-A64 (64 bit) | L2-Cache: | 2.00 MB | |
| Part Number: | SM8150-AC / SM8150P | |||
| Chip design: | Chiplet | |||
| Operating systems: | Android | |||
| Release price: | -- | |||
| Documents: | Technical data sheet | |||
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Qualcomm Snapdragon 855 Plus
