以下是处理器HiSilicon Kirin 655的主要规格,该处理器采用Cortex-A53架构设计。系列生产于(无数据)开始,采用28nm工艺技术,基础频率为1.70 GHz。该CPU拥有8个核心,超频模式下的频率为2.12 GHz。在选择处理器HiSilicon Kirin 655之前,请检查主板的插槽类型、内存模块的形式因素和电源的功率。
HiSilicon Kirin 655 评测 - 规格和基准测试
关键数据
处理器HiSilicon Kirin 655的概述,包括其主要特点以及在被称为基准测试的综合测试中的性能。您可以将HiSilicon Kirin 655与其他处理器进行比较,并通过评估每个处理器的优缺点来选择最佳选项。
处理器家族和世代
处理器 的系列和代数在其特性和能力中起着关键作用。值得注意的是,每一代新处理器通常都会带来性能和能效的提升。在升级计算机系统时,您需要注意主板插槽的兼容性,因为新系列可能需要不同的连接器,这可能会导致额外的升级成本。然而,每一代处理器通常都会提供新技术和优化,使其对寻求高性能和可靠性的用户更加具有吸引力。
Name: | HiSilicon Kirin 655 | Segment: | Mobile | |
CPU group: | HiSilicon Kirin 650 | |||
Family: | HiSilicon Kirin | 一代人: | 2 | |
Predecessor: | -- | Successor: | -- |
处理器内核、基本频率和涡轮增压频率
直接影响处理器性能的特征。工作和涡轮增压速度,超频,超交易的核心和线程数量。越多越好。
时钟频率: | 1.70 GHz | 核心数量: | 8 | |
涡轮增压(1核): | 2.12 GHz | 流的数量: | 8 | |
超级交易: | No | 加速: | No | |
Turbo (8 Cores): | 2.12 GHz | 建筑学: | hybrid (big.LITTLE) | |
A core: | 4x Cortex-A53 | B core: | 4x Cortex-A53 | |
C core: | -- |
内部图形
图形芯片使处理器能够执行复杂的计算和显示任务。内存越多,时钟频率越高,就越好。
图形处理器的名称: | ARM Mali-T830 MP2 | |||
图形处理器频率: | 0.90 GHz | GPU (Turbo): | 0.90 GHz | |
一代人: | Midgard 4 | DirectX版本: | 11 | |
行政单位: | 2 | 着色器的数量: | 32 | |
监视器的数量: | 2 | 技术: | 28nm | |
发布日期: | Q4/2015 | Max. GPU Memory: | -- |
硬件编解码器支持
専門家が関心を持ち、プロセッサーの性能に影響を与えない技術的な情報です。
h264: | Decode / Encode | |||
JPEG: | Decode / Encode | |||
VP8: | Decode / Encode | |||
VP9: | No | |||
VC-1: | No | |||
AVC: | No | |||
h265 / HEVC (8 bit): | Decode / Encode | |||
h265 / HEVC (10 bit): | Decode | |||
AV1: | No |
RAM和PCIe
HiSilicon Kirin 655处理器支持的RAM的接口和标准。标准越现代,内存容量越大,就越好。
存储器类型: | LPDDR3-933 | 记忆通道: | 2 | |
ECC: | No |
加密
CPU支持的数据加密标准
AES-NI: | No |
热管理
TDP是处理器产生的最大热量。它在选择冷却系统时使用。TDP越高,冷却系统必须耗散的热量就越多。
最高温度: | -- | 最大TDP: | -- | |
TDP down: | -- | TDP (PL2): | -- |
技术细节
关键的处理器参数。注意制造工艺技术(以纳米为单位),第二和第三级缓存(L2,L3),插座。
L3-Cache: | -- | 技术: | 16 nm | |
建筑学: | Cortex-A53 | 虚拟化: | None | |
插座(连接器): | N/A | 发布日期: | Q2/2016 | |
指令集(ISA): | x86-64 (64 bit) | L2-Cache: | -- | |
Part Number: | -- |
使用该处理器的设备
可以使用这种类型的处理器的设备,台式机或笔记本电脑。
它被用于: | Unknown |